功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
SI4484EY-T1
SI4484EY-T1-E3
SI4484EY-T1-GE3
Si4485DY
SI4485DY-T1-E3
SI4485DY-T1-GE3
SI4486DY
SI4486DY-T1-E3
SI4486EY
SI4486EY-E3
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